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英特尔和美光推千倍速度芯片 或引发数据存储革命
　
7月29日消息，互联网信息的爆炸式增长产生了大量的新数据，这也为设计内存和存储解决方案时必须权衡成本、功耗和性能的服务提供商和系统制造商带来了挑战。据国外媒体报道，近日英特尔和美光推出了一种名为3D XPoint的非易失性存储器技术，这种新型存储芯片比当前产品速度快1000倍，或将改变计算机获取海量数据的方式。 　　目前英特尔和美光已开始生产速度更快的新型存储芯片，预计将在今年晚些时候向潜在客户提供这款芯片的样片。　　 据悉，3D XPoint技术诞生于十多年间的研究与开发。该技术能够以较低成本满足用户在非易失性、高性能、高耐用性和高容量方面对存储与内存的需求。基于更少晶体管数量构建的创新型交叉点架构建立了一个存储单元位于字线和位线交叉点的“三维棋盘”，以支持对单个存储单元的独立访问。基于这个架构的存储器，数据可以作为更小的片段进行写入和读取，从而实现更快速、更高效的读取/写入操作。 　　新的存储芯片希望帮助计算机以更快的速度获取并处理由越来越多联网设备产生的大量数据。这也将有助于各种数据密集型任务，例如疾病的实时追踪，以及具备沉浸感的仿真游戏等。当前类型的存储芯片要么价格过于昂贵，要么没有足够的能力去处理这些任务。 　　美光总裁马克·亚当斯(Mark Adams)表示：“当代计算技术最重要的一大障碍在于处理器从大容量存储中获取数据花费的时间。这种新的非易失性存储器是一种革命性技术，能实现快速访问海量数据，带来全新的应用。” 　　美光和英特尔已经成立了一家合资公司，生产用于移动设备和计算机数据存储的闪存芯片。不过双方并未透露用于3D XPoint技术的材料细节。
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